КРЕМНИЯ ИОДИДЫ (иодсиланы). Тетраиодид (тетраиодсилан) SiI4 - бесцв. кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,201 нм, z = 8, пространств. группа Pa3), длина связи Si—I 0,257 нм; DH0исп 54 кДж/моль (466 К), DH0обр - 113 кДж/моль, DH0возг 77,4 кДж/моль; S0298 62,56 Дж/(моль • К); ур-ние температурной зависимости давления пара: lg p(мм рт. ст.) = 23,3809 - 3,8627/Т - 4,9934 lgT (399-573 К).
СВОЙСТВА НЕКОТОРЫХ ИОДСИЛАНОВ
См. также таблицу. Раств. в гептане, толуоле, бензоле, хлороформе. С водой и этанолом реагирует с образованием геля SiO2 и HI. Дает аддуrкты с пиридином, пиколином, хинолином. Получают SiI4 пропусканием паров I2 над нагретым выше 500 °С Si, а также р-цией Si с HI при 400-500 °С. Применяют SiI4 для получения особо чистого Si путем разложения при 1000-1200 °С с осаждением на пов-сти металла. Известны иодсиланы SiH4-nlIn, иодгалогениды Si, иоддисиланы, напр. Si2H5I, низшие газообразные К. и. SiI, SiI2 и SiI3, а также твердые (SiI)x - в-вa оранжевого цвета. Лит.: Andersen H.C, Belz L.H., "d. Amer. Chem. Soc", 1953, v. 75, p. 4828. См. также лит. при ст. Кремния хлориды. В. Н. Емельянов.
СВОЙСТВА НЕКОТОРЫХ ИОДСИЛАНОВ
См. также таблицу. Раств. в гептане, толуоле, бензоле, хлороформе. С водой и этанолом реагирует с образованием геля SiO2 и HI. Дает аддуrкты с пиридином, пиколином, хинолином. Получают SiI4 пропусканием паров I2 над нагретым выше 500 °С Si, а также р-цией Si с HI при 400-500 °С. Применяют SiI4 для получения особо чистого Si путем разложения при 1000-1200 °С с осаждением на пов-сти металла. Известны иодсиланы SiH4-nlIn, иодгалогениды Si, иоддисиланы, напр. Si2H5I, низшие газообразные К. и. SiI, SiI2 и SiI3, а также твердые (SiI)x - в-вa оранжевого цвета. Лит.: Andersen H.C, Belz L.H., "d. Amer. Chem. Soc", 1953, v. 75, p. 4828. См. также лит. при ст. Кремния хлориды. В. Н. Емельянов.