ИНДИЯ АНТИМОНИД InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространств. группа F43m): т. пл. 525,2 °С; плотн. 5,775 г/см3, жидкого - 6,430 г/см3 (550 °С); С0p 49,56 Дж/(моль.К); DH0пл 65,35 кДж/моль, DH0обр - 30,66 кДж/моль; S0298 87,44 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 4,7.10-6 К-1; теплопроводность 30-40 Вт/(м.К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (- 196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,013m0, дырок тр = 0,42m0 (m0 - масса своб. электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1.106 см2/(В.с), дырок 9,1.103 см2/(В.с).
И. а. устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной к-ты, HNO3 и соляной к-ты, HNO3, винной и молочной к-т, Н2О2 и винной к-ты, Н2О2 и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5HNO3 : 3СН3СООН : 3HF.
Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или Н2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10-9 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10-4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. а. - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности.
Лит.: Полупроводниковые соединения AIIIBV, под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ., М., 1967, с. 327-42, 476-83; Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 М. Г. Мильвидский.